[发明专利]RC-IGBT结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910034220.9 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109817707A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 蒋章;刘须电;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RC‑IGBT结构，包括背面金属电极上形成集电极，集电极上形成缓冲层，缓冲层上形成漂移区，漂移区上形成体区，沟槽设置在体区和漂移区中，沟槽两侧的体区中形成发射极，沟槽内壁形成有栅氧化层，栅氧化层内形成多晶硅栅极，层间介质设置在沟槽上的正面金属电极中；背面金属电极上形成多个短路点，该短路点穿过集电极延伸达到缓冲层中。本发明还公开了一种所述RC‑IGBT结构的制造方法。本发明在到现有RC‑IGBT结构功能同时能降低RC‑IGBT结构生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 集电极 漂移区 背面金属电极 栅氧化层 短路点 体区 正面金属电极 多晶硅栅极 层间介质 沟槽内壁 发射极 形成体 生产成本 制造 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种RC‑IGBT结构，包括背面金属电极(4.1)上形成集电极(9)，集电极(9)上形成缓冲层(8)，缓冲层(8)上形成漂移区(7)，漂移区(7)上形成体区(6)，沟槽设置在体区(6)和漂移区(7)中，沟槽两侧的体区(6)中形成发射极(5)，沟槽内壁形成有栅氧化层(2)，栅氧化层(2)内形成多晶硅栅极(1)，层间介质(3)设置在沟槽上的正面金属电极(4.2)中；其特征在于：背面金属电极(4)上形成多个短路点，该短路点穿过集电极(9)延伸达到缓冲层(8)中。
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