[发明专利]超级结深沟槽填充方法在审
| 申请号： | 201910034314.6 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109817700A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 伍洲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结深沟槽填充方法，在N型外延层与P型外延层之间，形成一层含碳的外延层；所述含碳的外延层，其含碳的浓度为渐变浓度，靠近N型外延的一侧的浓度高，越靠近P型外延则浓度越低，直至接触到P型外延时含碳浓度为零。通过上述方法处理后在进行显结时，显结液与N型外延发生电化学反应，电子沿高导电能力的含碳的外延层流动，加速了N型区域的反应，同时电子不会进入到P型区域，从而保护了P型区域被保护不被腐蚀，从而形成了明显的P/N界限，显结效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 超级结 深沟槽 填充 电化学反应 高导电能力 渐变 腐蚀 流动 | ||
【主权项】：
1.一种超级结深沟槽填充方法，其特征在于：在第一导电类型的外延层与第二导电外延层之间，形成一层含碳的外延层；所述含碳的外延层，其含碳的浓度为渐变浓度。
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