[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201910035212.6 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110085716A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 尹柱宪;吉正焕;金台勋;宋和龙;沈载仁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 反射电极层 透明电极层 导电类型半导体层 半导体发光器件 透明保护层 通孔 第一导电类型 半导体层 发光结构 侧表面 上表面 源层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；第一绝缘层，其位于所述第一透明电极层上，所述第一绝缘层包括多个通孔；反射电极层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及透明保护层，其覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
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