[发明专利]一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器在审
申请号: | 201910035610.8 | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN109613635A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 伍铁生;王学玉;张慧仙;王宜颖;曹卫平 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 石燕妮 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器,解决的是品质因数差的技术问题,通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的;所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器;所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案;所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽,较好地解决了传统吸波体吸收效率低,吸收半峰全宽大,品质因数低等问题,可用于窄带热辐射器,等离子体生物传感器的应用中。 | ||
搜索关键词: | 纳米阵列 超窄带 柱阵列 金属纳米环 品质因数 吸波体 吸波 等离子体 金属薄膜反射层 单元反射层 生物传感器 贵金属 半峰全宽 表面晶格 热辐射器 吸收效率 依次设置 电磁波 介质层 纳米环 吸收体 谐振器 柱结构 共振 峰全 基底 可用 频谱 入射 双环 窄带 吸收 薄膜 压缩 应用 | ||
【主权项】:
1.一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器,其特征在于:所述金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器由周期性金属纳米环柱结构组成;所述纳米环柱阵列结构从下往上依次为介质基底、底层连续金属薄膜层以及谐振器;所述纳米环柱为等高的双环柱结构;所述底层连续金属薄膜层的厚度大于入射波在所述底层连续金属薄膜层同材质金属中的趋肤深度;所述谐振器包括两个同心金属纳米环柱;第一同心金属纳米环柱处于第二同心金属纳米环柱之下,两环柱内径相等,第一纳米环柱外径大于第二纳米环柱的外径,两者厚度相等;所述第一纳米环柱与第二纳米环柱直接相叠,无需设置中间介质层;所述介质基底与底层连续金属薄膜竖直截面形状均为长方形;所述介质基底和底层连续金属薄膜的水平截面形状均为正方形且大小相同。
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