[发明专利]一种高金合金键合丝的制备方法有效
申请号: | 201910036965.9 | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN109767991B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 彭庶瑶;周鹏;彭晓飞 | 申请(专利权)人: | 江西蓝微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C22C5/02;C22C1/03;C22F1/14 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 343000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种高金合金键合丝的制备方法,所述方法包括制备成高金合金铸棒,再制成铸态高金合金母线,将母线拉制成1mm左右的高金合金丝,经热处理后,再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的高金合金键合丝。本发明制备出来的高金合金键合丝具有良好抗氧化性和成球性、优异的耐腐蚀性、高导电和导热性、高强度和良好的塑性。能够适应电子封装高性能、多功能、微型化的需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 合金 键合丝 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高金合金键合丝的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤,1)将80%5N高纯金和20%4N纯银在真空合金熔炼炉中,抽低真空至1.1‑0Mpa后打开扩散泵加温半小时,抽高真空至4.7‑3Mpa后,充入5N高纯氩气;在进行抽低真空至1.1‑0Mpa后打开扩散泵加温半小时,抽高真空至4.7‑3Mpa后,进行两次高纯氩气洗炉过冲,使得真空腔内纯净后,充入高纯氩至‑0.05Mpa后,关闭真空泵,开始加温;2)用5‑8安培输出电流升温,3‑6分钟后将输出电流调整到8‑10.5安培,当电流达到9‑12安培后,石墨坩埚内溶液熔化,搅拌3‑8分钟,使金和银原料充分固溶形成合金材料,静置10分钟后,停止加热;待金银合金冷却后取出金银合金备用;3)将制作好的金银合金放入真空连铸炉石墨坩埚内,将钴、铜、铁、铂、钯、锡、锌一并加入;盖上炉盖,进行抽真空;抽低真空至1.1‑0Mpa后打开扩散泵加温半小时,抽高真空至4.7‑3Mpa后,充入高纯氩至0.03‑0.05Mpa后,开始加温;预设温度为1050‑1260度;经过搅拌,静置再搅拌等精炼工艺后,用30mm‑100mm/min速度进行连续拉铸成8mm棒材;4)将拉铸好的8mm高金合金棒通过拉机拉制成多种所需要的成品直径;5)将通过所述步骤4)制得的成品按照需求进行退火工艺改变线材的机械性能;6)将退火工序合格后的成品进行绕线,按照要求可以绕制为多种长度的产品;7)将绕制好的高金合金键合丝包装盒内,放入干燥剂,用塑料袋进行抽真空包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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