[发明专利]一种增强型半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910037334.9 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109585545B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;何亮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强型半导体器件及其制备方法。该器件包括衬底、半导体外延层、栅极、源极和漏极。所述外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层和二次外延氮化物势垒层。通过刻蚀，保留栅极区域p型氮化物，实现栅极沟道的夹断。通过无掩膜二次外延，二次外延氮化物势垒层生长于一次外延势垒层和栅极区域p型氮化物层之上，实现高导通接入区。二次外延可有效修复刻蚀损伤，对刻蚀工艺的要求也降低。且通过调控一次外延氮化物势垒层和二次外延氮化物势垒层的厚度和组分，实现更优的栅极关断和接入区导通能力。本发明可实现高阈值电压、高导通、高稳定性、低漏电的增强型半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型增强型半导体器件，包括衬底（1）、生长在衬底（1）上的半导体外延层、栅极（10）、源极（8）以及漏极（9）；其特征在于，所述外延层，自下至上包括氮化物成核层（2）、氮化物应力缓冲层（3）、氮化物沟道层（4）、一次外延氮化物势垒层（5），以及p型氮化物层（6）和二次外延氮化物势垒层（7）；所述的p型氮化物层（6）仅保留在栅极（10）区域一次外延氮化物势垒层（5）之上，实现栅极（10）下方二维电子气沟道的夹断；所述二次外延氮化物势垒层（7）生长过程无掩膜；所述二次外延氮化物势垒层（7）位于一次外延氮化物势垒层（5）和栅极（10）区域的p型氮化物层（6）之上。
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