[发明专利]一种光伏电池无损伤选择性发射极的制备方法

摘要

本发明涉及一种选择性发射极的制备方法，特别涉及一种光伏电池无损伤选择性发射极的制备方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）沉积磷源；（4）升温至第二温度；（5）推结；（6）降温；（7）沉积磷源；（8）降温出管。本发明方法得到的无损伤选择性发射极可应用于现如今可量产的高效PERC电池，PERC电池由于其优异的背面钝化和激光开槽工艺，其量产效率已接近22%。本发明制得的无损伤选择性发射极应用于PERC电池后，通过降低电池磷扩散结内复合，可以提升磷扩散方阻均匀性和减少电池串联电阻损失，进一步提升PERC电池效率。

主权项

1.一种光伏电池无损伤选择性发射极的制绒硅片磷扩散方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）进管：将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，（2）升温至第一温度：在氮气气氛下，使扩散炉管温度达到设定温度750‑850℃；（3）沉积磷源：进行第一次沉积，在所述硅片表面形成第一磷扩散；（4）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度：在氮气气氛下，使扩散炉管温度达到设定温度870‑930℃，（5）推结：维持步骤（4）的温度，推结30‑60min，（6）降温：扩散炉管温度降温至750‑850℃，（7）沉积磷源：进行第二次沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；（8）降温出管：退火降温，待扩散炉管温度降温至800±5℃，将所述硅片从所述扩散炉管内取出，得到磷扩散的制绒硅片。