[发明专利]一种碳化硅MOSFET的并联均流结构

摘要

一种碳化硅MOSFET的并联均流结构，由n级构成，n≥2，n为正整数。每一级由碳化硅MOSFET Q1、Q2、……、Qn及其驱动电路组成；驱动电路中，每个驱动电源串联一个均流电感器，均流电感器连接驱动电阻，驱动电阻连接一个单体MOSFET，即驱动电源ug1、ug2、……、ugn的正极连接均流电感器Lg1、Lg2、……、Lgn的一端a1、a2、……、an，均流电感器Lg1、Lg2、……、Lgn的另一端b1、b2、……、bn连接驱动电阻Rg1、Rg2、……、Rgn的一端，驱动电阻Rg1、Rg2、……、Rgn的另一端连接单体碳化硅MOSFET Q1、Q2、……、Qn的栅极。

主权项

1.一种碳化硅MOSFET的并联均流结构，其特征在于：所述碳化硅并联均流结构由n级构成，n≥1，n为正整数；每一级由碳化硅MOSFET Q₁、Q₂、……、Q_n及其驱动电路组成；驱动电路中，每个驱动电源串联一个均流电感器，均流电感器连接驱动电阻，驱动电阻连接一个单体MOSFET，即驱动电源u_g1、u_g2、……、u_gn的正极连接均流电感器L_g1、L_g2、……、L_gn的一端a1、a2、……、an，均流电感器L_g1、L_g2、……、L_gn的另一端b1、b2、……、bn连接驱动电阻R_g1、R_g2、……、R_gn的一端，驱动电阻另一端连接单体碳化硅MOSFET Q₁、Q₂、……、Q_n。