[发明专利]三值忆阻器的电路模型

摘要

本发明公开了一种三值忆阻器的电路模型。本发明包括负的磁通‑φ项产生电路，φ+0.25项产生电路，φ‑0.25项产生电路，‑0.04sgn(φ+0.25)项产生电路，0.025sgn(φ‑0.25)项产生电路，G(φ)项产生电路，电流i(t)产生电路。本发明含有2个集成运算放大器芯片、1个电压比较器芯片、1个乘法器，结构清晰简单、易于实现。该电路模型可用于三值忆阻器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器、人工神经网络电路以及多值逻辑运算等诸多领域中的应用研究具有重要意义。

主权项

1.三值忆阻器的电路模型，其特征在于：该电路模型基于以下数理关系建立：其中为磁通；该电路模型包括负的磁通项产生电路，项产生电路，项产生电路，项产生电路，项产生电路，项产生电路，电流i(t)产生电路；负的磁通项产生电路由集成运算放大器芯片U1中的第一放大器、电阻R1、电容C1和激励电压u(t)构成，激励电压u(t)加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第一放大器，通过积分运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U1中的第二放大器、电阻R2、R3、R4和‑0.25V电压构成的反相比例运算得到的，和‑0.25V电压加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第二放大器，通过反相比例运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U1中的第三放大器、电阻R5、R6、R7和0.25V电压构成的反相比例运算电路得到的，和+0.25V电压加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第三放大器，通过反相比例运算实现的输出；通过电压比较器芯片U3中的第一比较器和电阻R10构成一个电压比较器，得到U_sat1项；通过电压比较器芯片U3中的第二比较器和电阻R11构成另一个电压比较器，得到U_sat2项；项产生电路由集成运算放大器U1芯片中的第四放大器、电阻R8、R9构成的反相比例运算电路得到的，U_sat1加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第四放大器，通过反相比例运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U2中的第一放大器、电阻R12、R13构成的反相比例运算电路得到的，U_sat2加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U2中的第一放大器，通过反相比例运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U2中的第二放大器、电阻R14、R15、R16、R17构成的反相比例运算电路得到的，项、项和‑0.025V加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U2中的第二放大器，通过反相比例运算实现的输出；i(t)项产生电路由乘法器U4、集成运算放大器芯片U2的第三放大器、第四放大器、电阻R18、R19、R20、R21构成；所述的集成运算放大器U1和集成运算放大器U2采用LF347；电压比较器U3采用LM393，乘法器U4采用AD633AN。