[发明专利]三值忆容器的电路模型

摘要

本发明公开了一种三值忆容器的电路模型。本发明包括负磁通‑φ项产生电路，φ+0.25项产生电路，φ‑0.25项产生电路，饱和输出电压Usat1项产生电路，饱和输出电压Usat2项产生电路，‑0.04sgn(φ+0.25)项产生电路，0.025sgn(φ‑0.25)项产生电路，C(φ)项产生电路，电荷q(t)产生电路。本发明原理简单、结构清晰、易于实现。该电路模型可用于三值忆容器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器以及非线性电路等诸多领域中的应用具有重要意义。

主权项

1.三值忆容器的电路模型，其特征在于：该电路模型基于以下数理关系建立：其中为磁通；该电路模型包括负磁通项产生电路，项产生电路，项产生电路，饱和输出电压U_sat1项产生电路，饱和输出电压U_sat2项产生电路，项产生电路，项产生电路，项产生电路，电荷q(t)产生电路；负磁通项产生电路由集成运算放大器芯片U1中的第一放大器、电阻R1、电容C1和输入电压V(t)构成，输入电压V(t)加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第一放大器，通过积分运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U1中的第二放大器、电阻R2、R3、R4和‑0.25V直流电压构成，将和‑0.25V直流电压加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第二放大器，通过反相比例求和运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U1中的第三放大器、电阻R5、R6、R7和0.25V直流电压构成，将和+0.25V直流电压加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第三放大器，通过反相比例求和运算实现的输出；饱和输出电压U_sat1项产生电路由电压比较器芯片U3的第一比较器和电阻R10构成，将项加至饱和输出电压U_sat1项产生电路，由电压比较器芯片U3的第一比较器，通过比较运算实现U_sat1的输出；饱和输出电压U_sat2项产生电路由电压比较器芯片U3的第二比较器和电阻R11构成，将项加至饱和输出电压U_sat2项产生电路，由电压比较器芯片U3的第二比较器，通过比较运算实现U_sat2的输出；项产生电路由集成运算放大器U1芯片中的第四放大器、电阻R8、R9构成，将U_sat1加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U1中的第四放大器，通过反相比例运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U2中的第一放大器、电阻R12、R13构成，将U_sat2加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U2中的第一放大器，通过反相比例运算实现的输出；项产生电路由集成运算放大器芯片U2中的第二放大器、电阻R14、R15、R16、R17构成，将项、项和‑0.025V加至项产生电路，由集成运算放大器芯片U2中的第二放大器，通过反相比例求和运算实现的输出；q(t)产生电路由乘法器U4、集成运算放大器芯片U2中的第三放大器、集成运算放大器芯片U2中的放大器4、电阻R18、电阻R19、电阻R20和R21构成；将项和输入电压V(t)通过乘法器U4的乘法运算，实现0.1q(t)的输出，将0.1q(t)项加至集成运算放大器芯片U2中的第三放大器，通过反相比例运算实现‑q(t)的输出，将‑q(t)项加至集成运算放大器芯片U2中的第四放大器，通过反相比例运算实现q(t)的输出；所述的集成运算放大器U1和集成运算放大器U2采用LF347；电压比较器U3采用LM393；乘法器U4采用AD633AN。