[发明专利]一种具有强制p型表面态的InAs/GaNSb二类超晶格光探测器

摘要

本发明公开了一种具有强制p型表面态的InAs/GaNSb二类超晶格光探测器，光探测器的吸收区为p型，二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有N元素，N元素将吸收区的能带结构中超晶格价带顶抬升至高于吸收区的表面态，或者超晶格价带顶抬升至低于表面态但与表面态之间的距离小于3kBT。本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器吸收区的GaSb层中凝入一定量的N元素，通过N元素使得吸收区中超晶格价带抬升至高于吸收区的表面态，或者超晶格价带顶抬升至低于表面态但与表面态之间的距离小于3kBT，从而使得表面态转变成与吸收区同型的p型，消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。

主权项

1.一种具有强制p型表面态的InAs/GaNSb二类超晶格光探测器，所述光探测器的吸收区为p型，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，其特征在于，所述GaSb层中凝入有N元素，N元素将吸收区的能带结构中超晶格价带顶抬升至高于吸收区的表面态，或者超晶格价带顶抬升至低于表面态但与表面态之间的距离小于3kBT，其中kB是玻尔兹曼常数并，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。