[发明专利]一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器有效
| 申请号： | 201910039011.3 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109801992B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 詹健龙;宋禹析 | 申请（专利权）人： | 浙江焜腾红外科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 丁鹏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区为n型，在吸收区的能带结构中，吸收区的表面态位于超晶格导带底的下方且与超晶格导带底之间的间隙小于3kBT，或者表面态位于超晶格导带底的上方，其中kB是玻尔兹曼常数，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。本发明的InAs/GaSb二类超晶格光探测器其能带结构中表面态与超晶格导带底的上方，或者位于超晶格导带底的下方但与超晶格导带底的距离小于3kBT，使得表面态转变为n型，与吸收区同型，从而消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 强制 表面 inas gasb 二类超 晶格 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区为n型，其特征在于，在吸收区的能带结构中，吸收区的表面态位于超晶格导带底的下方且与超晶格导带底之间的间隙小于3kBT，或者表面态位于超晶格导带底的上方，其中kB是玻尔兹曼常数并，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江焜腾红外科技有限公司，未经浙江焜腾红外科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910039011.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
