[发明专利]半导体器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910039644.4 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446291A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，半导体器件结构包括：衬底；第一N型半导体沟道；第二N型半导体沟道，第二N型半导体沟道的沟道宽度及第一N型半导体沟道的沟道宽度分别由其在半导体层中的横向宽度决定，以使得第二N型半导体沟道的沟道宽度及第一N型半导体沟道的沟道宽度连续可调；第一栅介质层；第一栅电极层；第一N型源极及第一N型漏极；第二栅介质层；第二栅电极层；第二N型源极及第二N型漏极。本发明可以使得所述第二N型半导体沟道的宽度与所述第一N型半导体沟道的沟道宽度连续可调，可以大大提高半导体存储器件设计的灵活性，提高器件集成度以及器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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