[发明专利]一种掺杂2,2′-二联吡啶及其衍生物的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910040050.5 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN109802039A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 范建东;李闻哲;刘鹏;刘锟;龙毅;尹航;麦耀华 申请(专利权)人: 暨南大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈燕娴;雷月华
地址: 510632 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极,所述钙钛矿层为经过掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物得到的钙钛矿层,所述掺杂后的钙钛矿层材料为[Ax((Cs)0.09(NH2CH=NH2)0.91PbI3)1‑x],其中0≤X≤0.37,A为2,2'‑二联吡啶或其衍生物。该类掺杂材料可以增加钙钛矿层的稳定性,提高了填充因子和开路电压。并且材料价格低廉,操作方法简便,容易控制,为钙钛矿太阳能电池的稳定性和转换效率的研究提供了新的思路。
搜索关键词: 钙钛矿层 太阳能电池 二联吡啶 掺杂 钙钛矿型 制备 电子传输层 空穴传输层 材料价格 掺杂材料 开路电压 填充因子 依次层叠 转换效率 钙钛矿 电极 研究
【主权项】:
1.一种掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物的钙钛矿型太阳能电池,包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极,其特征在于,所述钙钛矿层为经过掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物得到的钙钛矿层,所述掺杂后的钙钛矿层材料为[Ax((Cs)0.09(NH2CH=NH2)0.91PbI3)1‑x],其中0≤X≤0.37,A为2,2'‑二联吡啶或其衍生物。
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