[发明专利]一种掺杂2,2′-二联吡啶及其衍生物的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910040050.5 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN109802039A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 范建东;李闻哲;刘鹏;刘锟;龙毅;尹航;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈燕娴;雷月华 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极,所述钙钛矿层为经过掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物得到的钙钛矿层,所述掺杂后的钙钛矿层材料为[Ax((Cs)0.09(NH2CH=NH2)0.91PbI3)1‑x],其中0≤X≤0.37,A为2,2'‑二联吡啶或其衍生物。该类掺杂材料可以增加钙钛矿层的稳定性,提高了填充因子和开路电压。并且材料价格低廉,操作方法简便,容易控制,为钙钛矿太阳能电池的稳定性和转换效率的研究提供了新的思路。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿层 太阳能电池 二联吡啶 掺杂 钙钛矿型 制备 电子传输层 空穴传输层 材料价格 掺杂材料 开路电压 填充因子 依次层叠 转换效率 钙钛矿 电极 研究 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物的钙钛矿型太阳能电池,包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极,其特征在于,所述钙钛矿层为经过掺杂2,2'‑二联吡啶及其衍生物得到的钙钛矿层,所述掺杂后的钙钛矿层材料为[Ax((Cs)0.09(NH2CH=NH2)0.91PbI3)1‑x],其中0≤X≤0.37,A为2,2'‑二联吡啶或其衍生物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于暨南大学,未经暨南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910040050.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择