[发明专利]一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置在审
| 申请号： | 201910040864.9 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109860283A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 朱涛;刘瑞;曹功勋;吴昊;金锐;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网湖北省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极层 场终止层 激光退火 源区 方法和装置 制作 激光退火条件 离子注入方式 背面金属层 制作过程 注入效率 电场 过渡区 终端区 光刻 减小 背面 积累 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT背面的制作方法，其特征在于，包括：在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层。
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