[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201910041239.6 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109830576A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张武斌;陶章峰;刘旺平;周盈盈;王坤;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述方法包括：提供AlN模板，所述Al模板包括蓝宝石衬底和沉积在所述蓝宝石衬底上的AlN缓冲层；在至少包括H2的气氛中对所述AlN模板进行退火处理，所述退火处理时间为5～13min；在退火处理后的AlN模板的AlN缓冲层上顺次沉积非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 退火处理 蓝宝石 外延片 衬底 沉积 制备 非掺杂GaN层 电子阻挡层 多量子阱层 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供AlN模板，所述Al模板包括蓝宝石衬底和沉积在所述蓝宝石衬底上的AlN缓冲层；在至少包括H2的气氛中对所述AlN模板进行退火处理，所述退火处理时间为5～13min；在退火处理后的AlN模板的AlN缓冲层上顺次沉积非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层。
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