[发明专利]基于裂纹阵列结构的柔性压力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910041452.7 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN109655180B 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 张俊秋;孙涛;韩志武;刘林鹏;牛士超;侯涛;陈道兵;王可军;陈思琪;王大凯 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 齐胜杰
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种基于裂纹阵列结构的柔性压力传感器及其制备方法,所述柔性压力传感器,包括,由上而下依次排列的:柔性上盖、上柔性基底、上导电层、下导电层、下柔性基底和柔性下盖;所述上柔性基底与所述上导电层相对的一面具有裂纹阵列反结构;所述下柔性基底与所述下导电层相对的一面具有裂纹阵列结构;所述上导电层设有上电极,所述下导电层设有下电极;所述上电极和所述下电极不相交。所述柔性上盖、上柔性基底、下柔性基底和柔性下盖均采用柔性材料。上述柔性压力传感器通利用在外部压力作用下柔性基底表面裂纹阵列结构与裂纹阵列反结构接触面积变化来改变电阻的特性,从而提高灵敏度与可靠性。
搜索关键词: 基于 裂纹 阵列 结构 柔性 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于裂纹阵列结构的柔性压力传感器,其特征在于,包括,由上而下依次排列的:柔性上盖、上柔性基底、上导电层、下导电层、下柔性基底和柔性下盖;所述上柔性基底与所述上导电层相对的一面具有裂纹阵列反结构;所述下柔性基底与所述下导电层相对的一面具有裂纹阵列结构;所述上导电层设有上电极,所述下导电层设有下电极;所述上电极和所述下电极不相交;所述柔性上盖、上柔性基底、下柔性基底和柔性下盖均采用柔性材料。
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