[发明专利]一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法在审
申请号: | 201910041823.1 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN109887921A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 张卫;丁一;王水源;周鹏 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11563 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于存储器技术领域,具体为一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法。本发明利用围栅结构替代传统存储器的单栅结构,通过增强器件的栅控能力,得到窗口更大、保持时间更长的非易失性存储器。本发明制备过程包括:先在衬底上利用电子束蒸发、原子层沉积、机械剥离及化学气相沉积等方法依次获得依次金属栅极、介质层、电荷俘获层、隧穿层及沟道材料,然后利用上述相同方法以相反的顺序获得围栅结构。本发明可以制备具有较大存储窗口以及较长保持时间的新型存储器,极大的增强栅极电压对器件的控制能力,可在未来存储器领域被广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 围栅 制备 二维半导体 存储器 存储器技术领域 非易失性存储器 化学气相沉积 传统存储器 存储器领域 电荷俘获层 电子束蒸发 新型存储器 原子层沉积 存储窗口 单栅结构 沟道材料 机械剥离 金属栅极 控制能力 栅极电压 制备过程 介质层 隧穿层 衬底 替代 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于二维半导体材料的围栅存储器的制备方法,其特征在于,具体步骤为:(1)在衬底上制备金属栅极;(2)在金属栅极上生长氧化绝缘层;(3)在绝缘层上生长二维材料电荷俘获层;(4)在电荷俘获层上生长二维材料隧穿层;(5)在隧穿层上生长二维沟道材料;(6)在沟道材料上依次生长BN、石墨烯、氧化绝缘层、金属电极,形成围栅结构;(7)在上述样品上制备一定图形的金属电极作为源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的