[发明专利]一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910041823.1 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN109887921A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 张卫;丁一;王水源;周鹏 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L27/11568 分类号: H01L27/11568;H01L27/11563
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于存储器技术领域,具体为一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法。本发明利用围栅结构替代传统存储器的单栅结构,通过增强器件的栅控能力,得到窗口更大、保持时间更长的非易失性存储器。本发明制备过程包括:先在衬底上利用电子束蒸发、原子层沉积、机械剥离及化学气相沉积等方法依次获得依次金属栅极、介质层、电荷俘获层、隧穿层及沟道材料,然后利用上述相同方法以相反的顺序获得围栅结构。本发明可以制备具有较大存储窗口以及较长保持时间的新型存储器,极大的增强栅极电压对器件的控制能力,可在未来存储器领域被广泛应用。
搜索关键词: 围栅 制备 二维半导体 存储器 存储器技术领域 非易失性存储器 化学气相沉积 传统存储器 存储器领域 电荷俘获层 电子束蒸发 新型存储器 原子层沉积 存储窗口 单栅结构 沟道材料 机械剥离 金属栅极 控制能力 栅极电压 制备过程 介质层 隧穿层 衬底 替代 应用
【主权项】:
1.一种基于二维半导体材料的围栅存储器的制备方法,其特征在于,具体步骤为:(1)在衬底上制备金属栅极;(2)在金属栅极上生长氧化绝缘层;(3)在绝缘层上生长二维材料电荷俘获层;(4)在电荷俘获层上生长二维材料隧穿层;(5)在隧穿层上生长二维沟道材料;(6)在沟道材料上依次生长BN、石墨烯、氧化绝缘层、金属电极,形成围栅结构;(7)在上述样品上制备一定图形的金属电极作为源极和漏极。
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