[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201910041881.4 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110047542B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李峰旻;林昱佑 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26;G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件，依据可编程阈值晶体管和并联电阻的可变电阻单元阵列，包括三维和分离栅极的变化。施加到晶体管的一输入电压和晶体管的可编程阈值可以表示乘积和运算的变化。在可变电阻单元中的可编程阈值晶体管包括电荷俘获储存晶体管，比如浮动栅极晶体管或介电电荷俘获晶体管。可变电阻单元中的电阻可包括连接至可编程阈值晶体管的载流终端(例如，源极和漏极)的一埋藏式注入电阻。一电压感测放大器被配置为感测由可变电阻单元产生的电压当作一施加电流和可变电阻单元的电阻的函数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括配置于垂直NAND类串线路中的一可变电阻单元阵列，该可变电阻单元阵列具有多个可变电阻单元，在该可变电阻单元阵列中的各这些可变电阻单元包含一可编程阈值晶体管和并联的一第一电阻。
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