[发明专利]一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910041981.7 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN109810700B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 彭明营;熊普先;李景明;郑炽彬 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗啸秋
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于发光材料领域,公开了一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉及其制备方法。所述长余辉荧光粉的表达通式为Sr2‑xSnO4:xTm3+;其中0≤x≤0.05;Tm取代晶体中的Sr,x表示取代率;其晶体结构属于四方晶系,激活离子为Tm3+。分别称取锶、锡、铥金属或含锶、锡、铥的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛及800~900℃温度下预烧,然后取出研磨混匀后在氧化性气氛及1350~1500℃温度下灼烧,得到超宽可见到近红外的长余辉荧光粉。本发明仅通过单一的Tm离子掺杂,在锡酸盐基质中实现了可见到近红外均有长余辉发光的性能,具有超宽的长余辉发射带。
搜索关键词: 一种 超宽可 见到 红外 余辉 荧光粉 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉,其特征在于:所述长余辉荧光粉的表达通式为Sr2‑xSnO4:xTm3+;其中0≤x≤0.05;Tm取代晶体中的Sr,x表示取代率;其晶体结构属于四方晶系,激活离子为Tm3+
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