[发明专利]显示装置的薄膜晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201910043209.9 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109755324B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 阮丞禾 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供显示装置及其薄膜晶体管与形成方法。显示装置包含微结晶硅氧化物层及位于微结晶硅氧化物层上的硅层，且微结晶硅氧化物层的硅与氧的元素比大于1。显示装置的薄膜晶体管包含栅极电极、位于栅极电极上的微结晶硅化合物层、位于微结晶硅化合物层上的主动层以及位于主动层上的源极与漏极电极，其中微结晶硅化合物层的结晶粒径实质小于或等于20纳米(nm)。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 薄膜晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置的薄膜晶体管，包含：一栅极电极；一微结晶硅化合物层，位于该栅极电极上，该微结晶硅化合物层的结晶粒径小于或等于20纳米；一主动层，位于该微结晶硅化合物层上；以及源极与漏极电极，位于该主动层上。
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