[发明专利]一种ZnxCo1-x-ZIF-67膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910043468.1 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109621735A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谷景华;李泽耀 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | B01D71/06 | 分类号： | B01D71/06;B01D69/10;B01D67/00;B01D53/22 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜及其制备方法，其制备方法包括，在多孔支撑体表面预先生长一层ZIF‑8晶种，以ZIF‑8晶种作为生长膜的诱导核，制备连续的ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜；所制备得到的ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜可用于H2/CO2、H2/N2、H2/CH4等气体分离领域。本发明通过在多孔支撑体表面生长ZIF‑8晶粒，作为生长ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜的晶种，能有效解决因晶种层与多孔支撑体结合强度不足而导致晶种易脱落的问题，本发明的方法所采用的制备条件温和，工艺简单可控，原料易得且价格低廉，所制ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜的化学结构和性能稳定，气体分离性能优异，应用前景广阔，理论和实际意义重大。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶种 多孔支撑体 生长 气体分离性能 应用前景广阔 晶粒 气体分离 强度不足 有效解决 制备条件 晶种层 可控 可用 诱导 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜的制备方法，其特征在于，在多孔支撑体表面预先生长一层ZIF‑8晶种，以ZIF‑8晶种作为生长膜的诱导核，制得连续的ZnxCo1‑x‑ZIF‑67膜。
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