[发明专利]研磨装置

摘要

提供一种研磨装置，能够通过对照射到晶片的光量进行调整而进行正确的膜厚测定。研磨装置具备：光源(30)；投光光纤(34)，该投光光纤具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(34a、34b)；以及受光光纤(50)，该受光光纤(50)具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(50a、50b)。投光光纤(34)具有第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第一减光器(70)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第二减光器(72)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)中的至少一个。

主权项

1.一种研磨装置，其特征在于，具备：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；研磨头，该研磨头用于将晶片向所述研磨垫按压；光源；投光光纤，该投光光纤具有配置于所述研磨台内的不同位置的多个顶端；受光光纤，该受光光纤具有配置于所述研磨台内的所述不同位置的多个顶端；分光器，该分光器与所述受光光纤连接，根据波长对通过所述受光光纤传送的来自晶片的反射光进行分解并测定各波长处的反射光的强度；处理部，该处理部基于表示所述反射光的强度与波长的关系的分光波形确定晶片的膜厚；以及第一减光器和第二减光器，该第一减光器和第二减光器安装于所述投光光纤，所述投光光纤具有第一投光光纤和第二投光光纤，所述第一投光光纤和所述第二投光光纤的一端与所述光源连接，所述第一投光光纤和所述第二投光光纤的另一端构成配置于所述不同位置的所述投光光纤的顶端，所述第一减光器安装于所述第一投光光纤和所述第二投光光纤，所述第二减光器安装于所述第一投光光纤和所述第二投光光纤中的至少一个。