[发明专利]一种用于晶圆处理设备的装载室有效
| 申请号： | 201910043502.5 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109786304B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王亮;荒见淳一;周仁;刘春 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;C23C16/54 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种用于晶圆处理设备的装载室，所述装载腔体组合包括装载腔本体、一个或复数个腔体加热器，所述装载腔本体为一体式加工成型，利用中间隔离板，被分割成四个腔室，上部两个腔室和下部两个腔室又进一步的通过出气通道而串联；所述腔体加热器与装载腔本体耦接，可根据具体的腔体热分布调整腔体加热器的位置。本发明的装载室具有可被加热的功能，可有效阻止液体反应源的残余部分，在腔壁内侧的冷凝现象，杜绝因此而产生的影响晶圆加工质量的颗粒；还可有效阻止热量的散失，节约能源；防止操作人员的热伤害等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 处理 设备 装载 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶圆处理设备的装载室，用于实现真空环境和大气环境的过渡，包括装载腔体组合、前端隔离阀门、后端隔离阀门，其特征在于，所述装载腔体组合包括装载腔本体、一个或复数个腔体加热器，所述装载腔本体为一体式加工成型，利用中间隔离板，被分割成四个腔室，上部两个腔室和下部两个腔室又进一步的通过出气通道而串联；所述腔体加热器与装载腔本体耦接，可根据具体的腔体热分布调整腔体加热器的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
