[发明专利]一种存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器件及其制造方法，在第一堆叠层中的第一子沟道孔中形成牺牲层，而后，形成刻蚀停止层，而后，继续在刻蚀停止层之上形成第二堆叠层，在第二堆叠层中形成第二子沟道孔时，以刻蚀停止层为刻蚀重点，从而在第一子沟道孔之上形成第二子沟道孔，在去除第二牺牲层之上的刻蚀停止层以及第二牺牲层之后，就形成了贯通的沟道孔。这样，有效地提高了存储器件的集成度，同时，通过刻蚀停止层的设置，避免了第二子沟道孔刻蚀时对第二牺牲层的过刻蚀，提高了工艺稳定性，从而提高器件的良率。

主权项

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一堆叠层，所述第一堆叠层包括交替层叠的第一绝缘层和第一牺牲层，所述第一堆叠层中形成有第一子沟道孔，所述第一子沟道孔中填充有第二牺牲层；在所述第一堆叠层以及第二牺牲层上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第二堆叠层，所述第二堆叠层包括交替层叠的第一绝缘层和第一牺牲层；进行所述第二堆叠层的刻蚀，直至所述刻蚀停止层，以在所述第一子沟道孔之上形成第二子沟道孔；去除第二牺牲层之上的刻蚀停止层以及去除第二牺牲层，以形成贯通的沟道孔；在所述沟道孔中形成存储单元串。