[发明专利]非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件

摘要

本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。

主权项

1.非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在表面沟道外延层上淀积金属掩膜层；在金属掩膜层上制备第一光刻胶层；曝光、显影，形成源区域图形和漏区域图形；湿法腐蚀去除所述源区域图形和所述漏区域图形部位的第一光刻胶层；在所述源区域图形和所述漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；在所述金属掩膜层、所述源金属层和所述漏金属层上涂覆第二光刻胶层和第三光刻胶层；在所述源金属层和所述漏金属层之间光刻至少一个栅腐蚀窗口图形和至少一个场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层；所述栅腐蚀窗口图形处对应淀积栅金属层，所述场板金属窗口图形处对应淀积场板金属层，所述栅金属层和所述场板金属层不相连；其中，所述栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层的间距不等，所述栅金属层与偏向所述源金属层一侧未腐蚀金属掩膜层的间距为有效栅源间距，所述栅金属层与偏向漏金属层一侧未腐蚀金属掩膜层的间距为有效栅漏间距，所述有效栅源间距小于所述有效栅漏间距的器件。