[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201910045276.4 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109873063A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上；应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层的材料采用掺杂硅和铟的氮化镓，第二子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，第三子层的材料采用掺杂铟的氮化镓；同一个复合结构中，第二子层中硅的掺杂浓度小于第一子层中硅的掺杂浓度，第三子层中铟的掺杂浓度大于第一子层中铟的掺杂浓度。本发明可提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 掺杂 应力释放层 复合结构 依次层叠 氮化镓 发光二极管外延 掺杂硅 缓冲层 衬底 源层 半导体技术领域 发光效率 生长 外延片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述应力释放层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料采用掺杂硅和铟的氮化镓，所述第二子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，所述第三子层的材料采用掺杂铟的氮化镓；同一个所述复合结构中，所述第二子层中硅的掺杂浓度小于所述第一子层中硅的掺杂浓度，所述第三子层中铟的掺杂浓度大于所述第一子层中铟的掺杂浓度。
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