[发明专利]微波谐振腔耦合自组织锗硅纳米线量子点装置在审

专利信息
申请号: 201910046612.7 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN109616520A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 李海欧;李炎;胡蕾琪;刘赫;郭光灿;郭国平 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L29/775 分类号: H01L29/775;H01L21/336;B82Y10/00;H01P7/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宇园
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种微波谐振腔耦合自组织锗硅纳米线量子点装置,该装置包括:基片结构;至少两个自组织锗硅纳米线量子点电极结构,制备在上述基片结构上;以及超导微波谐振腔结构,设置在上述基片结构上,并与上述自组织锗硅纳米线量子点源电极结构耦合。本发明提出的微波谐振腔耦合自组织锗硅纳米线量子点装置,通过超导微波谐振腔的微波作为媒介,能够将多个量子点耦合在一起,可作为量子数据总线用于量子芯片的扩展和集成,为构建量子计算机的多个量子比特长程耦合的可扩展量子芯片提供了设计思路和技术方案。
搜索关键词: 量子点 纳米线 自组织 锗硅 耦合 微波谐振腔 基片结构 量子 超导微波 芯片 量子计算机 谐振腔结构 电极结构 结构耦合 量子数据 可扩展 谐振腔 源电极 耦合的 总线 长程 构建 制备 微波 媒介
【主权项】:
1.一种微波谐振腔耦合自组织锗硅纳米线量子点装置,其特征在于,包括:基片结构;至少两个自组织锗硅纳米线量子点电极结构,制备在所述基片结构上;以及微波谐振腔结构,设置在所述基片结构上,并与所述自组织锗硅纳米线量子点源电极结构耦合。
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