[发明专利]一种LED外延量子阱生长方法有效
| 申请号： | 201910047651.9 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109860344B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 徐平;季辉;何鹏 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11603 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延量子阱生长方法，包括步骤：处理蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上生长低温GaN缓冲层，并对所述低温GaN缓冲层进行处理使得在所述低温GaN缓冲层上形成不规则小岛；在所述低温GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；在所述非掺杂GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；在所述掺杂Si的N型GaN层上生长多量子阱层，在所述多量子阱层上生长AlGaN电子阻挡层；在所述AlGaN电子阻挡层上生长掺杂Mg的P型GaN层；以及降温冷却。本发明的生长方法，可以有效地提升LED的发光效率，还可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且使外延层表面变得平整，外观更好。 | ||
| 搜索关键词： | 低温GaN缓冲层 生长 非掺杂GaN层 电子阻挡层 多量子阱层 量子阱生长 掺杂 蓝宝石 衬底 外延层表面 发光效率 降温冷却 不规则 外延片 有效地 翘曲 小岛 平整 合格率 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延量子阱生长方法，其特征在于，包括步骤：/n处理蓝宝石衬底；/n在所述蓝宝石衬底上生长低温GaN缓冲层，并对所述低温GaN缓冲层进行处理使得在所述低温GaN缓冲层上形成不规则小岛；/n在所述低温GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；/n在所述非掺杂GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；/n在所述掺杂Si的N型GaN层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括高温In
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