[发明专利]发光二极管的外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201910048743.9 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109873056B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张武斌;周盈盈;陶章峰;刘旺平;王坤;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上先溅射第一AlN层，且第一AlN层的溅射功率在0.5～1kw的范围之内，此时由于第一AlN层的溅射功率较低，可减小反应室内存在的尖端放电现象，溅射出的Al原子团相对较小，减小对衬底的损伤，生长得到的第一AlN层的质量较好。在第一AlN层的退火温度小于第一AlN层的溅射温度条件下对第一AlN层退火，释放第一AlN层的应力，提高第一AlN层的晶体质量。而第二AlN层所掺的氧可使第二AlN层的晶格发生畸变，第二AlN层的晶格常数可与非掺杂GaN层的晶格常数实现良好匹配，在第二AlN层上生长得到的非掺杂GaN层的晶体质量提高，最终得到的外延片的质量提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；通过磁控溅射在所述衬底上溅射第一AlN层，所述第一AlN层的溅射功率为x，0.5kw≤x<1kw；对所述第一AlN层进行退火，所述第一AlN层的退火温度小于所述第一AlN层的溅射温度；通过磁控溅射在所述第一AlN层上溅射掺氧的第二AlN层，所述第二AlN层的溅射功率大于所述第一AlN层的溅射功率；在所述第二AlN层上生长非掺杂GaN层；在所述非掺杂GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型GaN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910048743.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
