[发明专利]羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 201910048805.6 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN109705029B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 王殳凹;张朵;第五娟;张昭 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C07D213/69 分类号: C07D213/69;C09K11/65;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/64
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 郭磊
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点的制备方法,包括以下步骤:将羟基被保护的羟基吡啶酮类化合物与氨基功能化碳量子点在交联剂的作用下于20‑40℃下反应,反应完全后在Pd/C催化剂的作用下,在氢气中发生还原反应,以脱掉保护基团,得到羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点,其中,羟基吡啶酮类化合物为3,4‑羟基吡啶酮和/或3,2‑羟基吡啶酮。本发明的羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点可用于检测铀酰离子,离子选择性高,响应时间短,响应信号稳定,环境友好。
搜索关键词: 羟基 吡啶 酮类 化合物 修饰 量子 及其 制备 应用
【主权项】:
1.一种羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供氨基功能化碳量子点,所述氨基功能化碳量子点呈球状,其表面含有若干氨基;(2)将羟基被保护的羟基吡啶酮类化合物与氨基功能化碳量子点在交联剂的作用下于20‑40℃下反应,反应完全后在Pd/C催化剂的作用下,在氢气中发生还原反应,以脱掉保护基团,得到所述羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点,其中,羟基吡啶酮类化合物为3,4‑羟基吡啶酮和/或3,2‑羟基吡啶酮。
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