[发明专利]穿隧式场效晶体管在审
| 申请号： | 201910048893.X | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110797387A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吉尔本·朵尔伯斯;彼德·瑞姆瓦尔;麦特西亚斯·帕斯拉克;卡罗司·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种穿隧式场效晶体管，包含第一半导体层、第二半导体层以及本质半导体层。第二半导体层位于第一半导体层上。第一半导体层与第二半导体层是相对的导电型态。第二半导体层包含第一侧壁以及第二侧壁，其实质垂直且大于第一侧壁。本质半导体层接触第二半导体层的第二侧壁与第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 本质半导体层 第二侧壁 第一侧壁 场效晶体管 导电型态 实质垂直 穿隧 | ||
【主权项】：
1.一种穿隧式场效晶体管，其特征在于，包含：/n一第一半导体层；/n一第二半导体层，位于该第一半导体层上，其中该第一半导体层与该第二半导体层是属于相对的导电型态，且该第二半导体层包含一第一侧壁以及一第二侧壁，该第二侧壁实质垂直于且大于该第一侧壁；以及/n一本质半导体层，接触该第二半导体的该第二侧壁与该第一半导体层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910048893.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：衬底、包括衬底的集成电路装置及其制造方法
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
