[发明专利]一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其制备方法，该光电探测器为纳米材料结型场效应晶体管光电探测器，具体是指将p型的二硒化钨(WSe2)薄片和n型的氧化锌(ZnO)纳米带接触形成p‑n结，同时WSe2薄片作为感光材料连接在顶栅电极与ZnO纳米带导电沟道之间。WSe2薄片受光激发产生光生载流子形成导电通道，顶栅电压通过该导电通道施加到p‑n结处，调节ZnO纳米带中耗尽区的宽度来实现沟道电导的调节，提高器件的光增益和响应速度。

主权项

1.一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器，其特征在于：该光电探测器包括ZnO纳米带、WSe₂薄片、Si/SiO₂衬底、源电极、漏电极和顶栅电极；所述的ZnO纳米带、WSe₂薄片、源电极、漏电极、顶栅电极均位于Si/SiO₂衬底上，ZnO纳米带的一端与源电极相连，ZnO纳米带的另一端与漏电极相连；WSe₂薄片的一端压在ZnO纳米带上，另一端压在顶栅电极上。