[发明专利]一种掩膜版设备工艺调试方法

摘要

本发明公开了一种掩膜版设备工艺调试方法，一块掩膜版原材均分为若干区域，每个区域上设置有十字架，将光刻设备、显影设备、蚀刻设备需要测试的图形分别设置在每个区域上的十字架上；对第一个区域内的图形进行曝光，通过显影、蚀刻、脱膜、清洗、测量工艺，得出光刻机的实际精度误差，根据测量误差调试设备参数；第一次测试完成后，将掩膜版原材进行清洗然后涂胶；偏移第二次曝光文件位置，进行第二次曝光，然后对第二个区域的图形进行测试；本发明通过设置十字架进行图形设置以及位置对准，对于最小精度的图形均能有效的进行检测，检测调试效率更高。

主权项

1.一种掩膜版设备工艺调试方法，包括以下步骤：(1)在掩膜版上进行涂感光胶、并分别进行光刻曝光、显影、蚀刻工序，得到相应的图形；(2)根据步骤(1)得到的图形与设计的图形相比较，根据两者的误差分别对光刻机的涂胶设备、光刻设备、显影设备、蚀刻设备进行调试；其特征在于，步骤(1)中在掩膜版上进行涂感光胶、光刻曝光前，将掩膜版均分为若干等距区域，同时在每个区域内再划分若干待测区域，每个待测区域上设置有十字架，将光刻设备、显影设备、蚀刻设备需要测试的图形分别设置在每个区域上的十字架上；第一次曝光时，在第一个待测区域上通过曝光设备进行光刻曝光，并涂感光胶、光刻曝光、显影、蚀刻得到相应的图形，根据得到的图形与设计的图形相比较，得出光刻机的实际精度误差，根据误差调试光刻机的参数；并且，第一次曝光测试完成后，将掩膜版原材进行清洗然后涂胶，偏移曝光装置，使其位于第二个待测区域相应位置，对第二待测区域十字架上的图形进行第二次曝光，并涂感光胶、光刻曝光、显影、蚀刻得到相应的图形，根据得到的图形与设计的图形相比较，得出光刻机的实际精度误差，根据误差调试设备参数；偏移曝光装置，使其分别位于不同的待测区域，并根据误差调试设备参数。