[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201910049973.7 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111463329B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨智慧;张受业;贾士亮 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片，包括外延发光层组和N型电极，该外延发光层组的表面形成有沟槽，该N型电极与沟槽底部的N型GaN层欧姆接触，并延伸为至少覆盖部分沟槽侧面的外延发光层组，且在N型电极与沟槽侧面的外延发光层组之间还设置有介质隔离叠层，该介质隔离叠层包括氧化硅膜和氮化硅膜。本发明将N型电极扩展到沟槽侧面的外延发光层组，并在N型电极与外延发光层组之间设置包括氧化硅膜和氮化硅膜的介质隔离叠层，从而可以大大增加N型电极的面积。而且，借助包括氧化硅膜和氮化硅膜的介质隔离叠层，可以显著减少因N型电极穿透介质隔离叠层形成的短路现象，从而大幅提高LED芯片的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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