[发明专利]晶片的生成方法和晶片的生成装置在审
| 申请号： | 201910051891.6 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN110071034A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 山本凉兵;平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供晶片的生成方法和晶片的生成装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够容易地判别出晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。晶片的生成方法包含如下的步骤：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭(50)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离六方晶单晶锭(50)的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度并向六方晶单晶锭(50)照射激光光线(LB)，从而形成剥离层(74)；超声波产生工序，将超声波产生单元(6)定位成隔着水层(LW)与要生成的晶片对置，通过产生超声波来破坏剥离层(74)；以及剥离检测工序，根据声音的变化对将要从六方晶单晶锭(50)生成的晶片的剥离进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 单晶锭 六方晶 剥离层 剥离 生成装置 超声波产生单元 照射激光光线 超声波产生 激光光线 检测工序 形成工序 超声波 聚光点 透过性 波长 对置 检测 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度并向六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成剥离层；超声波产生工序，将超声波产生单元定位成隔着水层与要生成的晶片对置，通过产生超声波来破坏剥离层；以及剥离检测工序，根据声音的变化对将要从六方晶单晶锭生成的晶片的剥离进行检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
