[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910052450.8 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN110071080A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 畑佐启太;竹田洋之;高萩智 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王兆阳;苏卉 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体元件；第一导体，经由第一焊料层而接合于半导体元件的上表面；及第二导体，经由第二焊料层而接合于第一导体的上表面。第一导体具备在与第一导体的上表面相邻的侧面沿着半导体元件、第一导体及第二导体的层叠方向设置的至少一个槽。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 半导体元件 半导体装置 上表面 接合 焊料层 层叠方向 制造 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体元件；第一导体，经由第一焊料层而接合于所述半导体元件的上表面；及第二导体，经由第二焊料层而接合于所述第一导体的上表面，所述第一导体在与所述第一导体的所述上表面相邻的侧面设有沿着所述半导体元件、所述第一导体及所述第二导体的层叠方向设置的至少一个槽。
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