[发明专利]振荡电路在审
| 申请号： | 201910052843.9 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN110266270A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 渡边考太郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及振荡电路。提供电路规模小且向振荡频率的温度的影响小的振荡电路。采用了一种振荡电路，其特征在于，具备：恒定电流电路，供给基于第一耗尽型的MOS晶体管的电流；充放电电路，具有：第一电容、第二电容、在对第一电容进行充电的电流路径中设置的第二耗尽型的MOS晶体管、和在对第二电容进行充电的电流路径中设置的第三耗尽型的MOS晶体管，第一~第三耗尽型的MOS晶体管的阈值电压相同且阈值电压的温度特性相同，使用基于恒定电流电路的电流来对第一电容进行充电，当第一电容的充电完成时输出复位信号，使用基于恒定电流电路的电流来对第二电容进行充电，当第二电容的充电完成时输出置位信号；以及RS锁存电路，输出根据复位信号的输入下降且根据置位信号的输入上升的波形。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 振荡电路 耗尽型 恒定电流电路 充电 充电完成 电流路径 置位信号 阈值电压 充放电电路 电路规模 复位信号 输出复位 锁存电路 温度特性 振荡频率 输出 | ||
【主权项】：
1.一种振荡电路，其特征在于，具备：恒定电流电路，具有第一耗尽型的MOS晶体管，供给基于所述第一耗尽型的MOS晶体管的电流；充放电电路，具有：第一电容、第二电容、在对所述第一电容进行充电的电流路径中设置且阈值电压与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同且所述阈值电压的温度特性与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同的第二耗尽型的MOS晶体管、和在对所述第二电容进行充电的电流路径中设置且阈值电压与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同且所述阈值电压的温度特性与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同的第三耗尽型的MOS晶体管，使用基于所述第一耗尽型的MOS晶体管的电流来对所述第一电容进行充电，当所述第一电容的充电完成时输出复位信号，使用基于所述第一耗尽型的MOS晶体管的电流来对所述第二电容进行充电，当所述第二电容的充电完成时输出置位信号；以及RS锁存电路，输出根据所述复位信号的输入下降且根据所述置位信号的输入上升的波形。
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