[发明专利]一种IBC电池钝化膜以及一种IBC电池及其制备方法在审
申请号: | 201910053212.9 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN109935638A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 邱江南;付少剑;白玉磐 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 任美玲;赵青朵 |
地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种IBC电池钝化膜,所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。IBC电池背面结结构为n/p呈指指状交叉排列,在提供钝化时,受较大反型层的限制,使其对钝化材料具有选择性,本发明提供的钝化膜层具有较少的电荷量,使钝化膜对n/p掺杂层不再具有选择性,本发明提供的钝化膜的结构和性质特别适宜针对n/p呈指状交叉排列的IBC电池背面的钝化;充分发挥了背面钝化膜的钝化能力,使得电池背面钝化性能大幅增加,暗饱和电流密度J0相对减少,据此可获得高Uoc的高性能电池,电池转化效率可获得0.3%~0.7%的提升。 | ||
搜索关键词: | 钝化膜 电池 钝化 电池背面 电荷量 电池转化效率 背面钝化膜 高性能电池 结构和性质 钝化材料 钝化膜层 钝化能力 交叉排列 指状交叉 掺杂层 反型层 制备 饱和 | ||
【主权项】:
1.一种IBC电池钝化膜,其特征在于,所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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