[发明专利]一种环栅纳米线器件的制造方法

摘要

本发明提供一种环栅纳米线器件的制造方法，现在衬底上形成鳍，该鳍为用于形成纳米线的沟道，而后，在鳍的两侧形成含氧的热反应层与无氧的隔离层交替的层叠层，并进行热退火工艺，此时，使得鳍与其两侧的热反应层中的氧反应形成鳍氧化物层，这样，在垂直于衬底方向上该鳍氧化物层将鳍夹断，而剩余的鳍则为纳米线，进而将纳米线释放并形成栅极，从而形成环栅纳米线器件。该方法中，通过形成含氧的热反应层与无氧的隔离层交替的层叠层，进而通过热退火工艺，使得鳍夹断后形成纳米线，无需新工艺开发以及新设备的引进，其制造难度低，与现有工艺具有良好兼容性，利于实现环栅纳米线器件的量产化。

主权项

1.一种环栅纳米线器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍以及鳍两端的支撑结构，所述鳍为半导体沟道材料；在所述鳍两侧依次形成无氧的隔离层与含氧的热反应层交替的层叠层；进行热退火工艺，以使得鳍与其两侧的热反应层中的氧反应形成鳍氧化物层，在垂直于所述衬底方向上所述鳍氧化物层将所述鳍夹断，剩余的鳍形成纳米线；去除所述层叠层及鳍氧化物层，以释放所述纳米线；形成环绕所述纳米线的栅极。