[发明专利]基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910054769.4 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109559991B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张雅超;马晓华;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;C23C16/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底的预设部分溅射生长AlN基板；在衬底的其余部分和AlN基板上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长混合极性GaN缓冲层；在混合极性GaN缓冲层上生长插入层；在插入层上生长混合极性AlGaN势垒层；在衬底的其余部分对应的AlGaN势垒层上蒸发欧姆金属，退火，然后在衬底的其余部分对应的GaN缓冲层上形成源极和漏极，同时在AlN基板对应的AlGaN势垒层上制备栅极，最终完成混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备。通过这种制备方法，可以得到一种混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，在有效减小源极、漏极欧姆接触电阻的基础上，抑制栅极下方材料漏电，从而大幅度提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 溅射 aln 混合 极性 algan gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的预设部分溅射生长AlN基板；在所述衬底的其余部分和所述AlN基板上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长混合极性GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长插入层；在所述插入层上生长混合极性AlGaN势垒层；在所述衬底的其余部分对应的所述混合极性AlGaN势垒层上蒸发欧姆金属，退火，然后在所述衬底的其余部分对应的所述混合极性GaN缓冲层上形成源极和漏极，同时在所述AlN基板对应的所述混合极性AlGaN势垒层上制备栅极，最终完成混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910054769.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
