[发明专利]一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910054804.2 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545880A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黄增光;高锟;王晓刚;顼浱;宋晓敏;史林兴;周朕 | 申请（专利权）人： | 淮海工学院 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池，属于太阳能电池技术领域，该电池包括单晶硅基底，单晶硅基底的正表面采用硅基类倒金字塔结构发射极，单晶硅基底的背表面采用背钝化结构；所述硅基类倒金字塔结构发射极由硅类倒金字塔结构和2层钝化介质膜构成；本发明还涉及单晶硅基类倒金字塔结构背钝化太阳电池的制备方法。本发明是优化电池在短波段和长波段的光谱响应，实现硅基太阳电池在整个波段（300—1100nm）上的优异光谱响应，最终实现太阳电池效率的提高，在n型标准太阳电池尺寸156×156 mm2上实现了22.09%的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 倒金字塔结构 钝化 基底 基类 倒金字塔绒面结构 光谱响应 发射极 硅基 制备 电池 太阳能电池技术 标准太阳电池 光电转换效率 硅基太阳电池 太阳电池效率 背钝化结构 钝化介质膜 背表面 长波段 短波段 正表面 波段 优化 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池，其特征在于：该电池包括单晶硅基底，单晶硅基底的正表面采用硅基类倒金字塔结构发射极，单晶硅基底的背表面采用背钝化结构；所述硅基类倒金字塔结构发射极由硅类倒金字塔结构和2层钝化介质膜构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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