[发明专利]一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910055991.6 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817771B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、具有v型缺陷的有源层、AlN量子点和p型氮化物层；其中：所述AlN量子点位于所述具有v型缺陷的有源层和所述p型氮化物层之间，所述AlN量子点至少沉积在所述具有v型缺陷的有源层的v型缺陷斜面的端点，且不沉积在所述具有v型缺陷的有源层的非v型缺陷平面。本发明的优点在于：通过在有源层的v型缺陷上沉积AlN量子点，阻挡v型缺陷造成发光二极管的漏电通道，提高氮化物发光二极管器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 氮化物 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性的氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、具有v型缺陷的有源层、AlN量子点和p型氮化物层；其特征在于：所述AlN量子点位于所述具有v型缺陷的有源层和所述p型氮化物层之间，所述AlN量子点至少沉积在所述具有v型缺陷的有源层的v型缺陷斜面的端点，且不沉积在所述具有v型缺陷的有源层的非v型缺陷平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910055991.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用局部应力制备二维柔性发光阵列的方法
- 下一篇：量子点器件和电子设备
