[发明专利]一种可见光宽波段吸收器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910055998.8 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN110007381A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 虞益挺;赵建村 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 吕湘连
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种可见光宽波段吸收器及其制作方法,属于集成光电子领域,主要涉及结构‑光场调控技术、光谱技术、纳米加工技术等。该器件主要包括基底3,置于基底3上的光刻胶周期性纳米结构2,以及沉积于两者之上的可见光高吸收材料层1。基底3为吸收器结构提供刚性支撑;周期性纳米结构2为增强共振吸收提供条件;高吸收材料介质层1可增强电磁共振能量吸收,在可见光范围内,折射率虚部系数k>4的材料对入射光具有很高的吸收效率;高吸收材料侧壁1‑2可进一步将入射光局域在微纳结构内部,提高吸收效率;通过优化周期性纳米结构的几何尺寸,可以实现对可见光范围内的宽波段完美吸收,吸收率高达90%以上,覆盖整个可见光范围,且具有偏振无关、入射角不敏感等特性。
搜索关键词: 可见光 周期性纳米结构 高吸收材料 宽波段 基底 吸收效率 入射光 吸收器 吸收率 纳米加工技术 集成光电子 吸收器结构 折射率虚部 电磁共振 刚性支撑 共振吸收 光谱技术 能量吸收 偏振无关 提供条件 微纳结构 不敏感 光刻胶 介质层 入射角 侧壁 光场 沉积 制作 调控 覆盖 吸收 优化
【主权项】:
1.一种可见光宽波段吸收器,其特征在于,主要包括基底3,置于基底3上的光刻胶周期性纳米结构2,以及沉积于两者之上的可见光高吸收材料层1;所述光刻胶周期性纳米结构2为周期性纳米柱阵列。所述可见光高吸收材料层1包括直接沉积在基底3上的高吸收材料底层1‑3、直接沉积在光刻胶周期性纳米结构2上的高吸收材料纳米柱1‑1、以及附着在光刻胶周期性纳米结构2外周的高吸收材料侧壁1‑2;所述高吸收材料底层1‑3和高吸收材料纳米柱1‑1的厚度t与光刻胶周期性纳米结构2的厚度h满足:h>t。
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