[发明专利]基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片有效
| 申请号： | 201910056213.9 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109946651B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王岗;王立平;陈德鑫 | 申请（专利权）人： | 浙江铖昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/02 | 分类号： | G01S7/02 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片，包括四个一样的单通道，分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4，四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连，每个通道包括6位数控衰减器ATT、6为数控移相器PHS、低噪声放大器LNA、驱动放大器DRV1、驱动放大器DRV2、功率放大器PA、单刀三掷开关SP3T、限幅器Limiter；芯片逻辑控制用CMOS芯片做成多功能芯片的控制电路，将CMOS芯片与砷化镓多功能芯片倒装，形成一体化三维封装结构。通过本发明实施例实现的基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，具有体积小，成本低，一致性好，可靠性高和调试简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三维 封装 结构 多功能 相控阵 tr 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，其特征在于，芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片，包括四个一样的单通道，分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4，四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连，每个通道包括6位数控衰减器ATT、6为数控移相器PHS、低噪声放大器LNA、驱动放大器DRV1、驱动放大器DRV2、功率放大器PA、单刀三掷开关SP3T、限幅器Limiter；芯片逻辑控制用CMOS芯片做成多功能芯片的控制电路，将CMOS芯片与砷化镓多功能芯片倒装，形成一体化三维封装结构。
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