[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件有效

专利信息
申请号: 201910056543.8 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN109634025B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 赵东 申请(专利权)人: 湖北科技学院
主分类号: G02F3/02 分类号: G02F3/02
代理公司: 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 代理人: 汪彩彩;阳会用
地址: 437100 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件,属于全光通信系统技术领域。光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构,由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一。本发明具有能够降低光学双稳态的阈值等优点。
搜索关键词: 一种 应用于 开关 存储器 光学 双稳态 器件
【主权项】:
1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件,其特征在于,本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构,且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A);所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体,所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。
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