[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件有效
申请号: | 201910056543.8 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109634025B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 赵东 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
主分类号: | G02F3/02 | 分类号: | G02F3/02 |
代理公司: | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人: | 汪彩彩;阳会用 |
地址: | 437100 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件,属于全光通信系统技术领域。光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构,由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一。本发明具有能够降低光学双稳态的阈值等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 开关 存储器 光学 双稳态 器件 | ||
【主权项】:
1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件,其特征在于,本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构,且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A);所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体,所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。
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