[发明专利]三维半导体装置在审
| 申请号： | 201910057460.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110098191A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郑恩宅;李星勳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在第二基底上并且包括在垂直于第二基底的上表面的方向上堆叠且彼此分隔开的多个栅电极，其中，所述多个栅电极包括下栅电极、设置在下栅电极上的多个中间栅电极以及设置在所述多个中间栅电极上的上栅电极；第一通过区，穿过第二基底并且设置在栅极堆叠结构下方；第二通过区，穿过第二基底和栅极堆叠结构；以及第一外围连接插塞，穿过第一通过区并且使下栅电极电连接到外围互连件的第一外围互连件。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 栅电极 三维半导体装置 栅极堆叠结构 互连件 外围 穿过 下栅 电极电连接 连接插塞 上栅电极 外围电路 上表面 电极 堆叠 分隔 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在所述第二基底上并且包括在垂直于所述第二基底的上表面的方向上堆叠且彼此分隔开的多个栅电极，其中，所述多个栅电极包括下栅电极、设置在所述下栅电极上的多个中间栅电极以及设置在所述多个中间栅电极上的上栅电极；第一通过区，穿过所述第二基底并且设置在所述栅极堆叠结构下方；第二通过区，穿过所述第二基底和所述栅极堆叠结构；以及第一外围连接插塞，穿过所述第一通过区并且使所述下栅电极电连接到所述外围互连件的第一外围互连件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
