[发明专利]发射辐射的设备有效
| 申请号： | 201910057767.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110071100B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 彼得·布里克;斯特凡·格勒奇;斯特凡·帕夫利克;迈克尔·维特曼;乌利·希勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H05B45/30;G05D25/02;H01L25/075;H01L33/50;H05B45/20;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种发射辐射的设备(1)，所述发射辐射的设备包括：‑像素化的光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片设置用于发射具有第一峰值波长(λ1)的第一辐射(S1)并且具有多个彼此并排设置的半导体区域(20)，‑转换元件(3)或色彩控制机构，所述转换元件或色彩控制机构设置用于将第一辐射(S1)的至少一部分转换成具有第二峰值波长(λ2)的第二辐射(S2)，和‑色彩控制元件(4)，所述色彩控制元件设置用于适应性地调节色温。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 设备 | ||
【主权项】：
1.一种发射辐射的设备(1)，所述设备包括：‑像素化的光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片设置用于发射具有第一峰值波长(λ1)的第一辐射(S1)并且具有多个彼此并排设置的半导体区域(20)，‑转换元件(3)或色彩控制机构，所述转换元件或色彩控制机构设置用于将所述第一辐射(S1)的至少一部分转换成具有第二峰值波长(λ2)的第二辐射(S2)，和‑色彩控制元件(4)，所述色彩控制元件具有用于吸收所述第一辐射和/或第二辐射(S1，S2)的一部分的半导体二极管，其中在第一运行状态(I)下将反向电压(UR)施加到所述半导体二极管处，并且由所述设备发射第一色温的辐射(SI)，所述第一色温的辐射绝大部分由所述第一辐射和第二辐射(S1，S2)组成，并且在第二运行状态(II)下将正向电压(UF)施加到所述半导体二极管处并且由所述设备(1)发射第二色温的辐射(SII)，所述第二色温的辐射绝大部分由所述第一辐射和第二辐射(S1，S2)和通过所吸收的所述第一辐射和/或第二辐射(S1，S2)在所述半导体二极管中发射的、具有第三峰值波长(λ3)的第三辐射组成。
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