[发明专利]一种电场辅助的低温快速烧结钛酸钡PTC陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201910057966.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109534809A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 蒲永平;史瑞科;郭旭;李经纬;杨梦蝶;王雯;师裕 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过电场辅助的低温快速烧结钛酸钡陶瓷的方法，将钛酸钡陶瓷以一定升温速率升温至一定温度，随后加上一个合适的电压，即可实现陶瓷胚体在较低温度下快速致密化。在烧结过程中，电能在陶瓷胚体内部消耗产生焦耳热，同时电场激发固体颗粒的传输过程，提高粒子扩散迁移速率，使得陶瓷颗粒迅速收缩，很大程度上降低了烧结温度，缩短了烧结周期。采用这种电场辅助的方法能够获得致密且晶粒细小的钛酸钡陶瓷，从而提高PTC陶瓷的击穿，为生产高击穿的PTC陶瓷提供了新型的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸钡陶瓷 电场辅助 快速烧结 击穿 致密 快速致密化 晶粒 传输过程 电场激发 粒子扩散 烧结过程 烧结周期 陶瓷颗粒 陶瓷胚体 烧结 焦耳热 陶瓷胚 体内部 钛酸钡 收缩 迁移 消耗 生产 | ||
【主权项】：
1.一种电场辅助的低温快速烧结钛酸钡PTC陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将钛酸钡陶瓷生胚加热到临界温度；所述临界温度为在施加相应电场强度下恰好出现快速烧结的温度；步骤2：对陶瓷胚体施加一个临界电场形成一个极限电流，并且持续时间t，30s≤t≤300 s，在时间t内完成陶瓷的烧结；所述临界电场是陶瓷能够发生快速烧结的电场强度；所述极限电流是指陶瓷坯体可以完全致密化的电流。
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