[发明专利]具有存储电容器的成像像素在审
| 申请号： | 201910058072.4 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110248121A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | G·辛格;A·欧贝罗伊;B·巴拉尔;S·古里恩达古恩塔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/357 | 分类号： | H04N5/357;H04N5/361;H04N5/365 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明题为“具有存储电容器的成像像素”。本发明公开了一种图像传感器，所述图像传感器可包括成像像素阵列和行控制电路。每个成像像素可包括光电二极管、浮动扩散区、被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区的转移晶体管、耦接到所述浮动扩散区的双转换增益晶体管、以及耦接到所述双转换增益晶体管的存储电容器。所述电容器可具有接收经调制的控制信号的板，并且所述行控制电路可被配置为调制所述控制信号。为了减少图像伪影，所述经调制的控制信号可在所述像素的积分时间期间调制为低，并且可在所述像素的高转换增益读出时间期间调制为高。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 存储电容器 浮动扩散区 成像像素 控制信号 光电二极管 图像传感器 行控制电路 转换增益 晶体管 像素 电容器 成像像素阵列 转移晶体管 图像伪影 电荷 高转换 配置 读出 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：成像像素阵列，其中每个成像像素包括：光电二极管；浮动扩散区；转移晶体管，所述转移晶体管被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区；以及电容器，所述电容器耦接到所述浮动扩散区，其中所述电容器具有接收控制信号的板；以及行控制电路，其中所述行控制电路被配置为调制所述控制信号。
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